晶圆厂设备部门，包括晶圆加工、晶圆厂设施和掩模/掩模版设备，预计到2021 年将飙升 34% 至817 亿美元的行业新纪录，2022 年将增长 6% 至超过860 亿美元。

　　 由于全球工业数字化对前沿技术的强劲需求，代工和逻辑部门占晶圆厂设备总销售额的一半以上，将同比增长 39%，到2021 年达到457 亿美元。预计 2022 年增长势头将继续，代工和逻辑设备投资将再增长 8%。

　　 对内存和存储的强劲需求正在推动对 NAND 和 DRAM 制造设备的支出。DRAM 设备部门预计将在 2021 年引领扩张，飙升 46%，超过140 亿美元。预计 2021 年 NAND 闪存设备市场将增长 13% 至174 亿美元，2022 年将分别增长9% 至189 亿美元。

　　 在先进封装应用的推动下，组装和封装设备部门预计到2021 年将增长 56%，达到 60 亿美元，然后在 2022 年增长 6%。半导体测试设备市场预计将在 2021 年增长 26% 至76 亿美元，并在 2022 年根据对 5G 和高性能计算 (HPC) 应用的需求再增长 6%。

　　 从地区来看，韩国、中国台湾和中国大陆预计仍将是 2021 年设备支出的前三大目的地，其中韩国凭借强劲的内存复苏以及对前沿逻辑和代工的强劲投资而位居榜首。预计 2021 年跟踪的所有地区的设备支出都将增长。

　　 半导体设备电源子系统带来非凡的收入增长

　　 由于多种积极因素，用于半导体制造设备的电源和反应气体子系统的销售额有望在 2016 年至 2021 年间实现 23% 的复合年增长率 (CAGR)——远远超过关键子系统行业 16.4% 的平均水平。

　　 Process power和反应气体子系统约占半导体制造设备关键子系统支出的 13%，高于 2016 年的 9.8%。这种异常增长的驱动因素是：

　　 提高半导体制造的真空强度

　　 每个腔室使用的射频功率子系统的平均数量增加

　　 更高功率子系统的趋势，这会吸引更高的价格

　　 使用更高频率的电源子系统，这通常更昂贵

　　 多重图案化和 3D NAND 在大批量制造中的出现显著增加了沉积和蚀刻工艺步骤的数量。

　　 对于 3D NAND，更长、更困难的蚀刻工艺需要更全面的电源解决方案。

　　 有趣的是，按工具类型对电源子系统的分析表明，绝大多数电源子系统 (70%) 用于蚀刻工具，只有 30% 用于沉积工具。这种差异可以通过以下事实来解释：更精细的蚀刻工艺可能需要每个工具使用多个 RF 功率解决方案。相比之下，沉积并不总是使用等离子体能源，例如，在热沉积工艺中。

　　 尽管过去五年电源子系统部门的增长表现惊人，但我们预计到 2026 年增长率将显着放缓。现在从 2D NAND 到 3D NAND 的过渡已经完成，我们预计真空/等离子加工步骤与其他设备市场保持一致。此外，EUV 的引入正在减少对真空处理设备的需求。

　　 然而，从长远来看，仍需要与 EUV 结合使用多种图案化技术，以实现器件密度和性能的预期改进。预计到 2026 年，电力和反应性气体子系统的未来增长趋势将略高于关键子系统行业平均水平 (3.9%)，复合年增长率约为 6.3%。